当前位置：
X-MOL 学术
›
IEEE J. Solid-State Circuits
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
A Fully Row/Column-Parallel In-Memory Computing Macro in Foundry MRAM With Differential Readout for Noise Rejection
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 5.4 ) Pub Date : 2024-04-12 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3386462 Peter Deaville 1 , Bonan Zhang 1 , Naveen Verma 1
中文翻译：
代工 MRAM 中的完全行/列并行内存计算宏，具有用于噪声抑制的差分读出
更新日期：2024-04-12
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 5.4 ) Pub Date : 2024-04-12 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3386462 Peter Deaville 1 , Bonan Zhang 1 , Naveen Verma 1
Affiliation
中文翻译：
代工 MRAM 中的完全行/列并行内存计算宏，具有用于噪声抑制的差分读出
京公网安备 11010802027423号