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A 28-nm 18.7 TOPS/mm$^2$ 89.4-to-234.6 TOPS/W 8b Single-Finger eDRAM Compute-in-Memory Macro With Bit-Wise Sparsity Aware and Kernel-Wise Weight Update/Refresh
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 5.4 ) Pub Date : 2024-04-19 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3387995 Yi Zhan 1 , Wei-Han Yu 1 , Ka-Fai Un 1 , Rui P. Martins 1 , Pui-In Mak 1
中文翻译：
具有位稀疏感知和内核权重更新/刷新功能的 28 nm 18.7 TOPS/mm$^2$ 89.4 至 234.6 TOPS/W 8b 单指 eDRAM 内存计算宏
更新日期：2024-04-19
IEEE Journal of Solid-State Circuits ( IF 5.4 ) Pub Date : 2024-04-19 , DOI: 10.1109/jssc.2024.3387995 Yi Zhan 1 , Wei-Han Yu 1 , Ka-Fai Un 1 , Rui P. Martins 1 , Pui-In Mak 1
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中文翻译：
具有位稀疏感知和内核权重更新/刷新功能的 28 nm 18.7 TOPS/mm$^2$ 89.4 至 234.6 TOPS/W 8b 单指 eDRAM 内存计算宏
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